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Semi-conducteurs

Les électroniques modernes utilisent nombreux matériaux semiconducteurs. Les dispositifs électroniques les plus avancés, comme les cellules solaires, les diodes électroluminescentes (LED) ou encore les processeurs, poussent les propriétés des matériaux à leurs limites et exigent l’utilisation de matériaux extrêmement purs et homogènes. La spectroscopie Raman est l'outil idéal pour l'étude des semi-conducteurs.

Caractérisation des semiconducteurs

La technologie Raman peut caractériser et générer des images de tous les semiconducteurs à base de silicium, de carbone, de polymères ou encore les matériaux III-V. Elle permet de révéler de nombreuses informations, notamment :

  • la composition chimique et structurelle du matériau (par exemple le pourcentage d’alliage des composés semi-conducteurs)
  • les polytypes (par exemple 4H-SiC et 6H-SicC)
  • les contraintes/tensions
  • la concentration en dopants
  • l’épaisseur des différentes couches
  • le type et l’orientation de la structure cristalline
  • la qualité des cristaux : amorphisation/cristallinité
  • l’uniformité et la pureté
  • la température du composant à l’échelle micrométrique

Simplicité d’analyse

L’analyse Raman est simple car elle ne requiert aucune préparation de l’échantillon. Pas de mise sous vide ou d’effets de charge comme observé avec la microscopie électronique.

Renishaw peut configurer votre système pour qu’il s’adapte à tous les utilisateurs.

Grande zone d’analyse
Les systèmes Renishaw sont capables d’analyser de très grands échantillons. Vous pouvez par exemple générer des images de plaquettes entières pour y détecter des contaminants ou des zones de tensions résiduelles.

Caractérisation PL
Les systèmes Renishaw vous permettent également de collecter et d’analyser des spectres de photoluminescence (PL). Vous pouvez obtenir les informations vibrationnelles et électroniques avec un seul instrument.

Systèmes en ligne
Implémentez les systèmes Raman de Renishaw à votre ligne de production pour mener une analyse en temps réel pour du contrôle qualité. Diagnostiquez les problèmes en amont, réduisez les déchets et améliorez vos rendements.

Résultats fiables
Les systèmes Renishaw produisent des données extrêmement répétables et fiables qui représentent précisément l’échantillon. La calibration automatique et le contrôle des performances intégré garantissent l’exactitude des données obtenues et ce, à tout moment.

Coup d'œil à une carte Raman 3D d'une plaquette en carbure de silicium

Télécharger une note d'application

  • Application note:  Photocurrent measurements on the inVia™ confocal Raman microscope Application note: Photocurrent measurements on the inVia™ confocal Raman microscope [en]

    When light interacts with semiconducting materials it can induce electrical currents (‘photocurrents’). These currents carry information about the electronic, optical, and charge transport properties of the material. This information is complementary to that obtainable from Raman scattering, which can identify physical changes in the material properties. This application note demonstrates the capability to simultaneously collect Raman and photocurrent data using the photocurrent mapping module concurrently with an inVia Raman microscope.

  • Application note:  Analyse compound semiconductors with the inVia™ Raman microscope Application note: Analyse compound semiconductors with the inVia™ Raman microscope [en]

    Over the last decade compound semiconductors have attracted a great deal of attention because they offer properties suitable for next generation devices in a wide range of application areas. Historically, the fabrication of these devices has been hindered by material challenges. While these have mainly been conquered at the research level, problems still persist when scaling up to industrial production. Renishaw’s inVia Raman microscope is a non-invasive, non-destructive characterisation tool which provides sub-micrometre information on the vibrational, crystal and electronic structure of materials.

  • Application note:  Analyse silicon carbide (SiC) with the inVia Raman microscope Application note: Analyse silicon carbide (SiC) with the inVia Raman microscope [en]

    The properties of silicon carbide are highly dependent on its crystal structure (it can exist in many polytypes), on the quality of the crystal, and on the number and types of defects present. Manufacturers of silicon carbide raw material and devices need to monitor and control these attributes to enhance yield. The first step in controlling these parameters is to measure them repeatably and quantifiably. Renishaw’s Raman systems are ideal for this.

Plus d’informations

Nous sommes là quand vous en avez besoin

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